광대역 밴드갭(SiC, GaN)을 포함한 전력 반도체의 자동 파라메트릭 테스트 > 측정기술자료

본문 바로가기
웹카탈로그
쇼핑몰 전체검색

회원로그인

회원가입

오늘 본 상품 0

없음

측정기술자료

광대역 밴드갭(SiC, GaN)을 포함한 전력 반도체의 자동 파라메트릭 테스트

페이지 정보

profile_image
작성자 최고관리자
댓글 0건 조회 318회 작성일 21-05-04 11:03

본문

61771fbc1bcd191726e219b146a7e58b_1620093555_2583.png
 

테스트 비용 절감, 처리량 증가


WLR, PCM 및 Die-Sort에 사용되는 기존 테스트 시스템에는 새로운 효율성 요구 사항(보다 높은 전압, 보다 낮은 누설 전류, 보다 낮은 활성 저항)을 

충족하는 해상도 또는 측정 동적 범위가 없거나 저전압 테스트와 고전압 테스트 간에 전환하기 위해 수동으로 재구성해야 하는 불필요한 시간이 소요됩니다. 

이제 더 이상 제조 환경의 생산성 목표를 달성하기 위해 더 이상 저전압 테스트용 테스트 시스템과 고전압 테스트용 테스트 시스템 간에 수동으로 전환할 필요가 없습니다. 

Keithley만 단일 프로브 터치다운으로 최대 3kV까지 전자동 웨이퍼 레벨 테스트를 수행할 수 있습니다.


전력 효율성의 트랜드에 대해 자세히 알아보기 



 

테스트 설정을 변경하지 않고도 고전압에서 저전압으로 전환할 수 있습니다.


장비 또는 테스트 설정을 변경하지 않고 단일 패스로 모든 고전압 및 저전압 

테스트를 수행합니다. 전체 3kV 소싱 기능과 pA 이하 단위 측정 해상도가 

결합되어 있으므로 고전압에서 저전압 브레이크다운 테스트로 전환할 때 

테스트 설정을 재구성하거나 두 가지 별도의 테스트 시스템을 사용할 필요가 

없습니다. 수동 케이블링 및 프로빙으로 인한 연결 문제가 최소화됩니다. 

측정 품질이 뛰어나므로 실패가 줄어듭니다. 안전하게 테스트 결과에 의존하여 

제조 공정 파라미터를 조정하므로 수율이 극대화됩니다.



생산 환경에서의 고전압 웨이퍼 테스트

 





a9e8d1b49979e82634fae42e180213c3_1620094501_5645.jpg

이 브레이크다운 테스트에서는 두 가지 램프 속도(단계당 20ms 및 100ms)로 전압이

1800V까지 상승합니다. 높은 램프 속도(느린 지연 시간)는 측정 전류를 100pA에서

1nA로 증가시킵니다. 높은 램프 속도에서는 대부분의 전류가 변위 전류(~1nA)입니다.



 

수동 재구성 없이 커패시턴스 측정

 a9e8d1b49979e82634fae42e180213c3_1620094633_199.jpg  a9e8d1b49979e82634fae42e180213c3_1620094633_2581.jpg  a9e8d1b49979e82634fae42e180213c3_1620094633_3065.jpg 

테스트 핀의 수동 재구성 없이 최대 3kV에서 Ciss, Coss 및 Crss와 같은 트랜지스터 커패시턴스 측정 수행합니다.


복잡한 3단자 측정을 포함하여 모든 커패시턴스 테스트를 자동화합니다. 

2단자 또는 3단자 트랜지스터 커패시턴스 측정을 완전히 자동화하여eithley의 고전압 스위칭 매트릭스를 통해 속도, 에너지, 전하 등의 스위칭 특성을 빠르게 평가합니다.



생산 환경에서의 고전압 웨이퍼 테스트





 빠른 자동화

 


a9e8d1b49979e82634fae42e180213c3_1620094764_6128.jpg

디퍼런셜 전류 레벨의 연결-포스-측정에 대한 감도 vs 일반 실행 시간



Keithley의 TSP(테스트 스크립트 처리) 기술과 모든 시스템 요소 간의 동기화, 

고속 트리거링 및 타이밍을 지원하는 가상 백플레인(TSP-Link)을 통해 테스트 시간을 

최소화하고, 테스트 처리량을 극대화하며, 테스트 비용을 절감합니다.



Keithley S530 파라메트릭 테스트 시스템으로 최대 처리량 달성하기







 주요 콘텐츠

 

 생산 환경에서의 고전압 웨이퍼 테스트

최대 파라메트릭 테스트 처리량 달성하기


 애플리케이션 노트



이 애플리케이션 노트에서는 저전압 성능 또는 처리량 저하 없이 여러 핀에서 

자동화된 HV 웨이퍼 레벨 특성화를 지원하는 다양한 측정 기법 및 접근 방식을 

살펴보고, 새로운 HV 웨이퍼 레벨 테스트 분야의 경험과 결과를 공유합니다.


61771fbc1bcd191726e219b146a7e58b_1620095410_7848.png
 


 

애플리케이션 노트



이 애플리케이션 노트에서는 시스템 테스트 속도 최적화의 최근 발전 사항을 

설명하고, 시스템 및 특정 테스트 알고리즘 레벨에서 테스트 속도 최적화를 위한 

일반적인 지침을 제공합니다.


61771fbc1bcd191726e219b146a7e58b_1620095410_7848.png


 

 

최대 3kV까지 완벽한 

단일 패스 파라메트릭 테스트

더 높은 정확도 및 충실도로 테스트

 S540

 S530

 a9e8d1b49979e82634fae42e180213c3_1620094872_3756.jpg 

 

a9e8d1b49979e82634fae42e180213c3_1620094897_0857.jpg

 

 540 파라메트릭 테스트 시스템은 최대 3kV의 전력 반도체 장치 및 구조에 대해 

웨이퍼 레벨 테스트를 수행하기 위한 전자동 48핀 파라메트릭 테스트 시스템입니다.



 S530 파라메트릭 테스트 시스템은 광범위한 장치와 기술을 처리해야 하는 

생산 및 실험실 환경용으로 설계되었으며 업계 최고 레벨의 유동적인 테스트 

플랜(test plan), 자동화, 프로브 스테이션(probe station) 통합 및 테스트 데이터 

관리 기능을 제공합니다.


• 탄화규소(SiC) 및 질화갈륨(GaN)을 비롯한 최신 복합 전 반도체 재료와 함께 

   사용하도록 최적화되어 있습니다.

• 단일 프로브 터치다운으로 모든 고전압, 저전압 및 커패시턴스 테스트를

  수행하도록 완전히 통합되어 있습니다.



• 새 장치 및 테스트 요구 사항에 따라 즉시 적응 가능합니다.

• 빠르고 유동적인 대화형 방식으로 테스트 계획을 개발할 수 있습니다.

• 널리 사용되는 완전 자동 프로브 스테이션과 호환됩니다.

• 1kV, C-V, 펄스 발생, 주파수 측정 및 저전압 측정용 옵션이 제공됩니다.



댓글목록

등록된 댓글이 없습니다.

회사명 (주)케이텍시스템     부산본사 부산광역시 해운대구 센텀북대로 60 센텀아이에스타워 414호     대구사무소 대구광역시 북구 유통단지로38 전기재료관 가동 215호     서울사무소 서울특별시 관악구 봉천로 494 다호프라임 301호
사업자 등록번호 606-81-98150     대표 문영준     전화 1670-3956     팩스 051) 955-3956     이메일 sales@tekkorea.com
통신판매업신고번호 제 2019-부산해운대-1449호     개인정보 보호책임자 김재영

Copyright © (주)케이텍시스템. All Rights Reserved.